深圳市三佛科技有限公司

品牌：	Fairchild(仙童）	类型：	增强型MOS管(N沟道)
材料：	N-FET硅N沟道	封装外形：	SMD(SO)/表面封装
用途：	L/功率放大	型号：	FCPF190N60
规格：	TO-220F	VDS：	600
IDS：	20.2

SuperFET^®II MOSFET 是飞兆半导体全新的高电压超级结 MOSFET 系列产品，采用先进的电荷平衡技术，实现极低的通态电阻和更低的栅极电荷。 该先进 MOSFET 经专门设计，不仅可最大程度地减少传导损耗，而且还能实现卓越的开关性能。 除了这些优势，与传统的超级结 MOSFET 相比，该产品还可耐受极高的 dv/dt 和较高的雪崩能量。 SuperFET II MOSFET 适用于系统小型化和高效化场景的各种开关电源应用。

特性
TJ = 150°C 时为 650 V
最大值 RDS(on) = 199mΩ
超低栅极电荷（典型值 Qg = 57nC )
低有效输出电容（典型值 Coss.eff = 160pF )
100% 经过雪崩击穿测试

应用
This product is general usage and suitable for many different applications.

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